Методика вассермана: Тест-опросник Вассермана и Гуменюка. Методика диагностики типа поведенческой активности

Содержание

Диагностика уровня социальной фрустрированности Л.И.Вассермана.

04.09.2018 | группа «Смотрим кино», Кинотерапия |

В рубрику Психологические методики для кинотерапии

Модификация В. В. Бойко

Инструкция. Ниже предлагается опросник, который фиксирует сте­пень неудовлетворенности социальными достижениями в основных аспектах жизнедеятельности.

Прочтите каждый вопрос и укажите один, наиболее подходящий ответ, который характеризует выбранного героя.

Удовлетворен ли герой: Полнос­тью удовлет­ворен Скорее удовлетворен Затруд­няюсь отве­тить Скорее не удовлет­ворен Полнос­тью не удовлет­ворен
1 2 3 4 5 6
1. Своим образованием.
2. Взаимоотношения­ми с коллегами по работе.
3.Взаимоотношениями с администрацией на работе.
4. Взаимоотношениями с субъектами своей профессиональной деятельности (паци­енты, клиенты, уча­щиеся и т.п.).
5. Содержанием своей работы в целом.
6. Условиями профес­сиональной деятель­ности (учебы).
7. Своим положением в обществе.
8. Материальным по­ложением.
9. Жилищно-бытовы­ми условиями.
10. Отношениями с супругом(ой).

 

Удовлетворен ли герой: Полнос­тью удовлет­ворен Скорее  удовлет­ворен Затрудняюсь отве­тить Скорее не удовлет­ворен Полнос­тью не удовлет­ворен
1 2 3 4 5 6
11. Отношениями с ре­бенком (детьми).
12. Отношениями с родителями.
13. Обстановкой в об­ществе (государстве).
14. Отношениями с друзьями, ближай­шими знакомыми.
15. Сферой услуг и бытового обслужи­вания.
16. Сферой медицинс­кого обслуживания.
17. Проведением до­суга.
18. Возможностью про­водить отпуск.
19. Возможностью вы­бора места работы.
20. Своим образом жизни в целом.

ОБРАБОТКА ДАННЫХ

По каждому пункту определяется показатель уровня фрустрированности. Он может варьироваться от 0 до 4 бал­лов. Каждому варианту ответа присваиваются баллы: пол­ностью удовлетворен — 0, скорее удовлетворен — 1, затруд­няюсь ответить — 2, скорее не удовлетворен — 3, не удов­летворен полностью — 4.

Интерпретация результатов.

Выводы об уровне соци­альной фрустрированности делаются с учетом величины балла (среднего балла) по каждому пункту. Чем больше балл, тем выше уровень социальной фрустрированности :

3,5 — 4балла — очень высокий уровень фрустрирован­ности;

3,0 — 3,4— повышенный уровень фрустрированности;

2,5 — 2,9— умеренный уровень фрустрированности;

2,0 — 2,4— неопределенный уровень фрустрирован­ности;

1,5 — 1,9— пониженный уровень фрустрированности;

0,5 — 1,4— очень низкий уровень;

0 — 0,5 — отсутствие (почти отсутствие) фрустри­рованности.

Дезорганизующие эмоциональные состояния в режиме угнетения психики.

Здесь следует назвать дистимию, депрессию, апатию, гипотимию, растерянность, тревогу, страх, бредовое на­строение. Эти весьма разные по содержанию эмоциональ­ные состояния имеют ряд общих признаков:

— личность практически не реагирует на внешние воз­действия иначе, как при помощи дезорганизующего эмо­ционального состояния. Оно может еще более усугублять­ся под влиянием очень разных стимулов — положитель­ных или отрицательных;

— чем усерднее внушать смелость тому, кто испытывает устойчивый страх, тем страшнее ему становится;

— в возникшем энергетическом режиме не справляется со своей задачей интеллект. Его роль в оценке внешних воздействий и переживаний личности практически не за­метна. Во всяком случае разум и воля не помогают челове­ку быстро и успешно преодолеть неадекватность эмоцио­нальных состояний, придать им коммуникабельную форму;

— для восстановления эмоциональной нормы требуется время, покой, помощь окружающих, в том числе лечебная.

Любое из дезорганизующих эмоциональных состояний может проявляться в пределах нормы или приобретать размеры психического расстройства, то есть психопатоло­гическую форму. Последняя возникает при наличии со­путствующих факторов.

Психопатологические расстройства состояний харак­теризуются общим измененным нервно-психическим тонусом.

В свою очередь устойчивые изменения нервно-психи­ческого тонуса вызываются:

— органическими поражениями мозга. В этом случае расстройства наиболее обширные и глубокие;

— дефектами нервной системы. Обычно она ослаблена болезнями, психическими травмами;

— внешними причинами. Среди них такие, которые выз­вали психический стресс, интоксикацию, травмы;

— соматическими заболеваниями. Болезнь того или ино­го органа вызывает нарушения сопряженных участков мозга, нервной системы, обмена веществ, что приводит к изменениям эмоционального и, нередко, интеллектуаль­ного отражения действительности.

Очень разные по своему проявлению расстройства со­стояний имеют, похоже, одну и ту же механику: отсут­ствует нормальная связь между интеллектом и эмоциями. Интеллект почему-либо (поражение мозга в результате стресса, интоксикации, травмы и т. п.) не оценивает дол­жным образом внешние и внутренние воздействия, не вы­являет их значимость для личности. Его управляющие команды не включают адекватные эмоциональные програм­мы- и наработанные при жизни стереотипы эмоционально­го поведения. Вместо адекватных эмоциональных программ и стереотипов автоматически все время вступает в дей­ствие один и тот же стереотип, свойственный личности. Ее поведение становится неадекватным, оно не обусловле­но видимыми причинами.

Метки: апатия, депрессия, методики, психология, рассеянность, самопознание, Смотрим кино, страх, теория, удовлетворенность, фрустрация

usf — Психологическая диагностика

 
 
                                 МЕТОДИКА:                                  
              Диагностика уровня социальной фрустрированности               
                            (Л.И. Вассерманн)                               
                         (Модификация В.В. Бойко).                          
  
      Методика предназначена для диагностики уровня  социальной  фрустриро- 
 ванности по 20 социальным параметрам оценки.                               
      Фрустрация (от лат. "frustratio" -  обман,  расстройство,  разрушение 
 планов) - психическое состояние переживания неудачи, обусловленное  невоз- 
 можностью удовлетворения некоих потребностей, возникающее при наличии  ре- 
 альных или мнимых непреодолимых препятствий на пути к некоей  цели.  Может 
 рассматриваться как одна из форм психологического стресса.  Проявляется  в 
 переживаниях разочарования, тревоги, раздражительности, наконец, отчаянии. 
 Эффективность деятельности при этом существенно снижается.                 
      В связи с фрустрацией различаются:                                    
      1) фрустратор - причина, вызывающую фрустрация;                       
      2) ситуация фрустрационная;                                           
      3) реакция фрустрационная.                                            
      Фрустрация сопровождается гаммой  в  основном  отрицательных  эмоций: 
 гневом, раздражением, чувством вины и пр.                                  
      Уровень фрустрация зависит:                                           
      1) от силы, интенсивности фрустратора;                                
      2) от состояния функционального человека, попавшего в ситуацию фруст- 
 рационную;                                                                 
      3) от сложившихся при становлении личности  устойчивых  форм  эмоцио- 
 нального реагирования на жизненные трудности.                              
      Важное понятие при изучении фрустрация -  толерантность  фрустрацион- 
 ная - устойчивость к фрустраторам, в основе коей лежит способность к адек- 
 ватной оценке ситуации фрустрационной и предвидение выхода из нее.         
 
       Дезорганизующие эмоциональные состояния в режиме угнетения психики.  
      Здесь следует назвать дистимию, депрессию, апатию, гипотимию,  расте- 
 рянность, тревогу, страх, бредовое настроение. Эти весьма  разные  по  со- 
 держанию эмоциональные состояния имеют ряд общих признако

Психологические материалы — Методика диагностики уровня социальной фрустрации Л. И. Вассермана (модификация В. В. Бойко)

Модификация В. В. Бойко

Ниже предлагается опросник, который фиксирует сте­пень неудовлетворенности социальными достижениями в основных аспектах жизнедеятельности.

Прочтите каждый вопрос и укажите один, наиболее подходящий ответ.













Удовлетворены ли Вы:

Полнос­тью удовлет­ворен

Скорее удовлетворен

Затруд­няюсь отве­тить

Скорее не удовлет­ворен

Полнос­тью не удовлет­ворен

1

2

3

4

5

6

1. Своим образованием.

         

2. Взаимоотношения­ми с коллегами по работе.

         

3.Взаимоотношениями с администрацией на работе.

         

4. Взаимоотношениями с субъектами своей профессиональной деятельности (паци­енты, клиенты, уча­щиеся и т.п.).

         

5. Содержанием своей работы в целом.

         

6. Условиями профес­сиональной деятель­ности (учебы).

         

7. Своим положением в обществе.

         

8. Материальным по­ложением.

         

9. Жилищно-бытовы­ми условиями.

         

10. Отношениями с супругом(ой).

         

 













Удовлетворены ли Вы:

Полнос­тью удовлет­ворен

Скорее  удовлет­ворен

Затрудняюсь отве­тить

Скорее не удовлет­ворен

Полнос­тью не удовлет­ворен

1

2

3

4

5

6

11. Отношениями с ре­бенком (детьми).

         

12. Отношениями с родителями.

         

13. Обстановкой в об­ществе (государстве).

         

14. Отношениями с друзьями, ближай­шими знакомыми.

         

15. Сферой услуг и бытового обслужи­вания.

         

16. Сферой медицинс­кого обслуживания.

         

17. Проведением до­суга.

         

18. Возможностью про­водить отпуск.

         

19. Возможностью вы­бора места работы.

         

20. Своим образом жизни в целом.

         

ОБРАБОТКА ДАННЫХ

По каждому пункту определяется показатель уровня фрустрированности. Он может варьироваться от 0 до 4 бал­лов. Каждому варианту ответа присваиваются баллы: пол­ностью удовлетворен — 0, скорее удовлетворен — 1, затруд­няюсь ответить — 2, скорее не удовлетворен — 3, не удов­летворен полностью — 4.

Если методика используется для выявления показате­ля у группы респондентов, то надо: 1) получить раздельно произведения числа респондентов, выбравших тот или иной ответ, на балл, присвоенный ответу, 2) подсчитать сумму этих произведений, 3) разделить ее на общее число ответивших на данный пункт. Можно определить итоговый средний индекс уровня социальной фрустрированности. Для этого надо сложить показатели фрустрированности по всем пунктам и разделить сумму на число пунктов (20).

В массовых обследованиях весьма показателен процент лиц, выбравших тот или иной вариант ответа на конкрет­ный пункт.

Интерпретация результатов.

Выводы об уровне соци­альной фрустрированности делаются с учетом величины балла (среднего балла) по каждому пункту. Чем больше балл, тем выше уровень социальной фрустрированности :

3,5 — 4балла — очень высокий уровень фрустрирован­ности;

3,0 — 3,4— повышенный уровень фрустрированности;

2,5 — 2,9— умеренный уровень фрустрированности;

2,0 — 2,4— неопределенный уровень фрустрирован­ности;

1,5 — 1,9— пониженный уровень фрустрированности;

0,5 — 1,4— очень низкий уровень;

0 — 0,5 — отсутствие (почти отсутствие) фрустри­рованности.

Дезорганизующие эмоциональные состояния в режиме угнетения психики.

Здесь следует назвать дистимию, депрессию, апатию, гипотимию, растерянность, тревогу, страх, бредовое на­строение. Эти весьма разные по содержанию эмоциональ­ные состояния имеют ряд общих признаков:

— личность практически не реагирует на внешние воз­действия иначе, как при помощи дезорганизующего эмо­ционального состояния. Оно может еще более усугублять­ся под влиянием очень разных стимулов — положитель­ных или отрицательных;

— чем усерднее внушать смелость тому, кто испытывает устойчивый страх, тем страшнее ему становится;

— в возникшем энергетическом режиме не справляется со своей задачей интеллект. Его роль в оценке внешних воздействий и переживаний личности практически не за­метна. Во всяком случае разум и воля не помогают челове­ку быстро и успешно преодолеть неадекватность эмоцио­нальных состояний, придать им коммуникабельную форму;

— для восстановления эмоциональной нормы требуется время, покой, помощь окружающих, в том числе лечебная.

Любое из дезорганизующих эмоциональных состояний может проявляться в пределах нормы или приобретать размеры психического расстройства, то есть психопатоло­гическую форму. Последняя возникает при наличии со­путствующих факторов.

Психопатологические расстройства состояний харак­теризуются общим измененным нервно-психическим тонусом.

В свою очередь устойчивые изменения нервно-психи­ческого тонуса вызываются:

— органическими поражениями мозга. В этом случае расстройства наиболее обширные и глубокие;

— дефектами нервной системы. Обычно она ослаблена болезнями, психическими травмами;

— внешними причинами. Среди них такие, которые выз­вали психический стресс, интоксикацию, травмы;

— соматическими заболеваниями. Болезнь того или ино­го органа вызывает нарушения сопряженных участков мозга, нервной системы, обмена веществ, что приводит к изменениям эмоционального и, нередко, интеллектуаль­ного отражения действительности.

Очень разные по своему проявлению расстройства со­стояний имеют, похоже, одну и ту же механику: отсут­ствует нормальная связь между интеллектом и эмоциями. Интеллект почему-либо (поражение мозга в результате стресса, интоксикации, травмы и т. п.) не оценивает дол­жным образом внешние и внутренние воздействия, не вы­являет их значимость для личности. Его управляющие команды не включают адекватные эмоциональные програм­мы- и наработанные при жизни стереотипы эмоционально­го поведения. Вместо адекватных эмоциональных программ и стереотипов автоматически все время вступает в дей­ствие один и тот же стереотип, свойственный личности.

Ее поведение становится неадекватным, оно не обусловле­но видимыми причинами.

Уровень невротизации — Psylab.info

Материал Psylab.info — энциклопедии психодиагностики

Описание методики

Уровень невротизации (УН) — клиническая скрининговая методика, предназначенная для предварительной диагностики расстройств невротического уровня.

История создания

Опросник был создан в 1999 году в НИПНИ им. Бехтерева на основе шкалы «невротизация» опросника «Уровень невротизации и психопатизации». В процессе создания утверждения были рестандартизированы на популяции больных неврозами и здоровых лицах. Ряд утверждений шкалы невротизации, как выяснилось, потеряли свою диагностическо-дискриминативную ценность и не были включены в «уровень невротизации».

Теоретические основы

Как и «родительская» методика «уровень невротизации и психопатизации», «уровень невротизации» является отображением типологического подхода к личности. Не опираясь на ту или иную теорию личности, «уровень невротизации» достоверно дифференцирует группы психически здоровых лиц и больных неврозами.

Внутренняя структура

Опросник состоит из 45 утверждений, на которые могут быть даны ответы «да»-«нет». 35 пунктов составляют основную шкалу опросника, остальные оценивают искренность испытуемого. Каждый пункт основной шкалы имеет свой «вес» в отношении выявляемого признака.

Клиническая значимость

Основными показаниями по применению опросника «уровень невротизации» являются массовые скрининговые исследования различных контингентов испытуемых, проводимые в рамках психогигиенических и психопрофилактических программ, в том числе с использованием современных информационных (компьютерных) технологий, для выявления групп риска психической дезадаптации с последующим более детальным клинико-психологическим обследованием в стационарных или амбулаторных условиях.

Методика также может быть использована при диагностики и оценки уровня степени выраженности невротизации у больных неврозами и неврозоподобными расстройствами. Кроме того, методика «уровень невротизации» может быть полезна в клинической работе для уточнения и содержательной квалификации динамики состояния больных в процессе фармакотерапии и психотерапии в клинике неврозов.

К ограничениям опросника «уровень невротизации», можно отнести возраст испытуемого младше 16 лет. Кроме того, использование методики «уровень невротизации», как и других опросников, ограничивается: низкой степенью понимания смысла утверждений опросника (отчетливое снижение интеллекта), острые психотические состояния, а также наличие выраженных установок на симуляцию и диссимуляцию у испытуемого.

Разработанная экспресс-диагностическая методика позволит существенно сократить время на позитивную клиническую диагностики невротических состояний, в особенности при динамическом наблюдении за больными в стационарах и амбулаторных условиях. Методика в настоящее время практически незаменима при комплексных клинико-психологических скрининговых исследованиях, например, при оценки состояния нервно-психического здоровья у лиц, проживающих и работающих в экологически неблагополучных регионах или связанных со стрессогенными факторами профессиональной деятельности.

Применение данной методики, в частности ее компьютерного варианта, позволит при комплексном подходе выявить группы риска и предболезненные эмоционально- личностные изменения у лиц, проживающих на территориях, где в особенности сказываются последствия технологических катастроф, социально-экономических конфликтов и миграции населения. Вместе с тем следует подчеркнуть, что данный психодиагностический инструмент наиболее эффективно может использоваться в «батарее» с другими клиническими, психофизиологическими, психологическими и социально- психологическими методами диагностики, а результаты исследования должны анализироваться на основе современных информационных (компьютерных) технологий.

Методика вместе с ИТТ и ОДС направлена на выявление наиболее общих, маскированных, слабоструктурированных психопатологических расстройств, в данном случае личностных.

Интерпретация

Диагностические коэффициенты опросника

Общие принципы интерпретации

  • Если испытуемый набрал более 5 диагностически значимых совпадений по шкале лжи (в соответствии с ключом), то результаты должны считаться недостоверными.
  • Остальные значения диагностических коэффициентов складываются друг с другом, выводится итоговое значение. Оценки по шкале невротизации могут принимать значения от -98 до +84 – у мужчин и от –103 до +133 – у женщин.
  • При высоком уровне невротизации (высокая по абсолютной величине отрицательная оценка) может наблюдаться выраженная эмоциональная возбудимость, продуцирующая различные негативные переживания (тревожность, напряженность, беспокойство, растерянность, раздражительность) и легкую фрустрируемость различными «внешними» и «внутренними» обстоятельствами. Эгоцентрическая личностная направленность таких лиц проявляется в как склонности к ипохондрической фиксации на неприятных соматических ощущениях, так и в сосредоточенности на переживаниях своих личностных недостатков. Это, в свою очередь, формирует чувство собственной неполноценности, затрудненность в общении, социальную робость и зависимость и, в конечном итоге, дезадаптированность в общесоциальном плане.
  • При низком уровне невротизации (высока по абсолютной величине положительная оценка) отмечается эмоциональная устойчивость и положительный фон основных переживаний (спокойствие, оптимизм). Оптимизм и инициативность, простота в реализации своих желаний формируют чувство собственного достоинства, социальную смелость, независимость, легкость в общении и связанную с этими качествами хорошую стрессоустойчивость.

Определение выраженности невротизации

Для мужчин:
  • очень высокий уровень -41 балл и меньше;
  • высокий уровень от –21 до –40;
  • повышенный уровень от –11 до –20;
  • неопределенный уровень от –10 до +10;
  • пониженный уровень от +11 до +20;
  • низкий уровень от+21 до +40;
  • очень низкий уровень от +41 балл и больше;
Для женщин:
  • очень высокий уровень -81 балл и меньше;
  • высокий уровень от –41 до –80;
  • повышенный уровень от –21 до –40;
  • неопределенный уровень от –20 до +10;
  • пониженный уровень от +11 до +40;
  • низкий уровень от+41 до +80;
  • очень низкий уровень от +81 балл и больше.

Определение вероятности наличия невротизации

Для мужчин:
Менее-70 От -70 до -41 От -40 до -21 От -20 до -11 От -10 до +10 От +11 до +20 От +21 до +40 От +41 до +70 Более+70
Вероятность наличия невротизации 1,0 0,98 0,85 0,7 0,5 0,3 0,21 0,06 0
Вероятность отсутствия невротизации 0 0,02 0,15 0,3 0,5 0,7 0,79 0,94 1,0
Для женщин:
Менее -80 От -80 до -41 От -40 до -21 От -20 до +10 От +11 до +40 От +41 до +70 Более +70
Вероятность наличия невротизации 1,0 0,89 0,79 0,49 0,18 0,13 0
Вероятность отсутствия невротизации 0 0,11 0,21 0,51 0,82 0,87 1,0
Например:
  • если у испытуемого (муж.) итоговая шкальная оценка равна –35, то с высокой степенью правдоподобия можно диагностировать у него невротизацию
  • если испытуемый (жен.) итоговая шкальная оценка равна +53, то вероятность наличия невротизации очень низкая, и, соответственно, с высокой степенью правдоподобия можно диагностировать отсутствие невротизации
  • если у испытуемого (муж.) итоговая шкальная оценка равна –8, то вероятность диагностирования наличия или отсутствия невротизации приблизительно одинаковы. Это не позволяет с достаточной определенностью делать психодиагностическое заключение относительно невротизации.

Стимульный материал

Бланк опросника

Ссылки

Уровень невротизации (мужской вариант) online

См. также

Уровень невротизации и психопатизации

Интегративный тест тревожности

Опросник депрессивных состояний

Методика диагностики уровня социальной фрустрированности Вассермана (модификация Бойко)

Удовлетворены
ли Вы

Своим
образованием
Взаимоотношениями
с коллегами (на работе)
Взаимоотношениями
с администрацией на работе
Взаимоотношениями
с субъектами своей профессиональной деятельности (пассажиры, ученики,
пациенты и т. д.)
Содержанием
своей работы в целом
Условиями
профессиональной деятельности (учебы)
Своим
положением в обществе
Материальным
положением
Жилищно-бытовыми
условиями
Отношениями с
супругом(ой)
Отношениями с ребенком
(детьми)
Отношениями с
родителями
Обстановкой в
обществе (государстве)
Отношениями с
друзьями, ближайшими знакомыми
Сферой услуг и
бытового обслуживания
Сферой
медицинского обслуживания
Проведением
досуга
Возможностью
проводить отпуск
Возможностью
выбора места работы
Своим образом
жизни в целом

Методика диагностики уровня социальной фрустрированности Вассермана (модификация Бойко)

Бланк опросника

Инструкция:Ниже предлагается опросник, который фиксирует степень неудовлетворенности социальными достижениями в основных аспектах жизнедеятельности.

Прочтите каждый вопрос и укажите один наиболее подходящий ответ (поставьте крестик в соответствующей графе таблицы).

0 — полностью удовлетворен;

1 — скорее удовлетворен;

2 — затрудняюсь ответить;

3 — скорее не удовлетворен;

4 — полностью не удовлетворен.

Диагностика в психосоматике

Удовлетворены ли вы
Своим образованием
Взаимоотношениями с коллегами (на работе)
Взаимоотношениями с администрацией на работе
Взаимоотношениями с субъектами своей профессиональной деятельности (пассажиры, ученики, пациенты и т. д.)
Содержанием своей работы в целом
Условиями профессиональной деятельности (учебы)
Своим положением в обществе
Материальным положением
Жилищно-бытовыми условиями
Отношениями с супругом(ой)
Отношениями с ребенком (детьми)
Отношениями с родителями
Обстановкой в обществе (государстве)
Отношениями с друзьями, ближайшими знакомыми
Сферой услуг и бытового обслуживания
Сферой медицинского обслуживания
Проведением досуга
Возможностью проводить отпуск
Возможностью выбора места работы
Своим образом жизни в целом

L .. .

Обработка данных

По каждому пункту определяется показатель уровня фру-стрированности (от 0 до 4 баллов).

Можно определить итоговый средний индекс уровня социальной фрустрированности. Для этого надо сложить показатели фрустрированности по всем пунктам и разделить сумму на число пунктов (20).



Интерпретациярезультатов

Выводы об уровне социальной фрустрированности делаются с учетом величины балла по каждому пункту. Чем больше балл, тем выше уровень социальной фрустрированности:

Глава 2

3,5—4,0: очень высокий;

3,0—3,4: повышенный;

2,5—2,9: умеренный;

2,0—2,4: неопределенный;

1,5—1,9: пониженный;

0,5—1,4: очень низкий;

0—0,4: отсутствие (почти отсутствие) фрустрированности.

Research — Дэн Вассерман

Монолитная интеграция оптоэлектронных и плазмонных материалов для излучателей среднего ИК-диапазона (с банковской группой в UT Austin, Национальный научный фонд)

Область плазмоники обещала широкий спектр трансформационных достижений в оптике и оптоэлектронике, включая, но не ограничиваясь этим, встроенное в кристалл субдифракционное ограниченное волновод, более эффективную фотовольтаику, субдифракционный предел и сверхэффективные излучатели, а также повышенную чувствительность сенсорные системы.Усилия по исследованию вышеупомянутого в основном были сосредоточены на длинах волн ближнего инфракрасного и видимого электромагнитного спектра (400 нм — 3 мкм), где имеется множество эффективных излучателей, а внедрение плазмонных материалов обычно приводит к снижению эффективности излучения (даже если другие преимущества, такие как ограничение длины волны, демонстрируются). С другой стороны, средний ИК-диапазон (3–30 мкм) — это диапазон длин волн, в котором практически отсутствуют эффективные излучатели, где плазмоника может быть использована для улучшения, а не снижения эффективности излучателя.Средний ИК-диапазон также является диапазоном длин волн, в котором высококачественные плазмонные материалы, а также квантово-инженерные и наноструктурированные эмиттеры могут быть выращены эпитаксиально в одной и той же системе материалов. В этом проекте будет использоваться высоколегированная полупроводниковая «металлическая» платформа в сочетании с квантово-техническими активными областями и структурированным эпитаксиальным ростом для разработки новых источников с повышенной эффективностью среднего ИК диапазона в монолитной полупроводниковой платформе. Этот проект предложит трансформационные возможности для фундаментального исследования взаимодействий света и материи между квантовыми излучателями и дизайнерскими плазмонными структурами.В то же время проект будет стремиться продемонстрировать, что плазмоника может быть использована для значительного повышения эффективности источников в среднем ИК-диапазоне. Конечная цель проекта — демонстрация первых полностью полупроводниковых плазмонных / квантовых источников излучения с электрическим приводом для эффективных светоизлучающих устройств среднего ИК диапазона и их последующая интеграция в оптические системы среднего ИК диапазона.

Квантовые точечные светодиоды среднего ИК диапазона (с наномиксом, финансируются AFRL)

Низкая стоимость и высокая эффективность светоизлучающих диодов видимого и ближнего ИК диапазонов сыграли жизненно важную роль в ряде приложений, включая твердотельное освещение и бытовую электронику, обеспечивая эффективное некогерентное излучение света полупроводниковыми материалами.Однако подобной эффективности трудно достичь в более длинноволновом диапазоне среднего ИК-диапазона, где светодиоды могут иметь потенциальное применение в недорогих сенсорных платформах и экранах «тепловизионного телевидения» для приложений безопасности и обороны. В этой программе мы исследуем полезность полупроводниковых квантовых точек, структур нанометрового масштаба, встроенных в основной материал, способных излучать свет в диапазоне средних длин волн ИК-диапазона. Мы стремимся разработать новые архитектуры устройств и параметры роста, чтобы повысить эффективность излучения и температурные характеристики светодиодов, работающих в диапазоне 4–6 мкм.

Соответствующие публикации

«Инженерные времена жизни носителей в излучателях среднего ИК диапазона In (Ga) Sb / InAs типа II», Лан Ю, Юджун Чжун, Сукрит Дев и Дэниел Вассерман, Журнал вакуумной науки и технологии B, 35, 02B101 (2017) ,

«Излучение в среднем инфракрасном диапазоне из слоев In (Ga) Sb на InAs (Sb)», Р. Лю, Ю. Чжун, Л. Ю., Х. Ким, С. Лоу, Ж.-М. Цзо, Д. Вассерман, Optics Express, 22, 24466 (2014).

Платформа полупроводниковой гетероструктуры для активных гиперболических материалов (совместно с проф.Подольский в Университете Массачусетса Лоуэлл, Гмахл в Принстонском университете и Нариманов в Университете Пердью)

В рамках этой программы мы стремимся разработать новую материальную платформу для управления светом среднего ИК-диапазона и использовать эту платформу для проведения всестороннего исследования не только взаимодействия между свойствами материала и геометрией метаматериала, но также распространения света, излучения и поглощение в сложных [квантово-] плазмонных метаматериалах. Материалы, разработанные в рамках предлагаемого исследования, будут непосредственно применимы для разработки новых классов оптических компонентов, в то время как разработанные аналитические и численные инструменты будут применимы для понимания сложного поведения широкого класса плазмонных материалов от благородных металлов в диапазоне видимых частот до прозрачные оксиды в ближнем ИК-диапазоне до легированных полупроводников в среднем ИК-диапазоне и ТГц, и потенциально будут использоваться при разработке будущих детекторов, эмиттеров и других компонентов.

Соответствующие публикации

«Отрицательное преломление в полупроводниковых метаматериалах» A.J. Хоффман, Л. Алексеев, С.С. Ховард, К.Дж. Франц, Д. Вассерман, В.А. Подольский, Э.Е. Нариманов, Д.Л. Сивко и К. Гмахл, Nature Materials, 2007.

Резонансные радиочастотные схемы для инфракрасного обнаружения и метрологии материалов (совместно с докторами М. Алленом, Дж. Алленом и Б. Веннером в AFRL)

Быстрый рост технологий беспроводной связи привел к появлению большого количества новых радиочастотных (RF) структур и устройств в масштабе микросхемы, что привело к соответствующему снижению стоимости RF-устройств.Новые технологии и масштабирование ВЧ-компонентов обладают потенциалом для дальнейшего сокращения «ТГц промежутка» между оптическими и оптоэлектронными устройствами (обычно работающими на частотах> 100 ТГц) и электронными устройствами, которые теперь работают на частотах до 100 ГГц и даже ТГц. Таким образом, растет интерес к устройствам и архитектурам, которые могут объединять возможности РЧ и оптики, связывая эти две технологии, составляющие основу нашей современной инфраструктуры связи.В то же время большая доступность ВЧ-компонентов открывает новые возможности для метрологии материалов и устройств при меньших затратах. Эти компоненты могут обеспечить эффективное и экономичное высокочастотное измерение характеристик устройства и отклика материалов для ряда оптических материалов и архитектур оптоэлектронных устройств. В этом проекте мы демонстрируем высокотемпературные детекторы, в которых падающий свет, поглощаемый полупроводниковым материалом в резонансном РЧ-контуре, изменяет локальную проводимость (или комплексную диэлектрическую проницаемость) резонансного микроволнового контура и считывается с помощью РЧ-сигнала.Наш подход предлагает путь к мультиплексному, многоволновому, высокоскоростному или высокочувствительному обнаружению падающего излучения.

Schematic

Соответствующих публикаций:

«Измерение срока службы носителей в материалах микронного размера с использованием резонансных микроволновых схем», Сукрит Дев, Йинан Ван, Кёнхван Ким, Марзи Замири, Кларк Кадлек, Майкл Голдфлам, Сэмюэл Хокинс, Эрик Шэнер, Джин Ким, Санджай Кришна, Моника Аллен, Джеффри Аллен, Эмануэль Тутук, Даниэль Вассерман, Нат.Commun., 10, (2019).

«Оптическое отображение профилей радиочастотного поля в резонансных микроволновых схемах», Сукрит Дев, Рунью Лю, Джеффри У. Аллен, Моника С. Аллен, Бретт Р. Веннер и Дэниел Вассерман, IEEE Photon. Technol. Lett . , 30, 331 (2018).

«Резонансные RF-фотодетекторы с повышенной чувствительностью», Р. Лю, С. Дев, Ю. Чжун, Р. Лу, В. Стрейер, Дж. У. Аллен, М. Аллен, Б. Р. Веннер, С. Гонг и Д. Вассерман, Optics Express, 24 , 26044-26054 (2016) DOI: 10.1364 / OE.24.026044

«Мультиплексное инфракрасное фотодетектирование с использованием резонансных радиочастотных схем» Р. Лю, Р. Лу, К. Робертс, С. Гонг, Дж. У. Аллен, М. С. Аллен, Б. Р. Веннер и Д. Вассерман, Appl. Phys. Lett., 108, 061101 (2016).

ТГц переключение с помощью вырожденно легированных полупроводниковых приборов (совместно с проф. Геновым из Ла-Техаса)

Schematic

Наша группа давно проявляет интерес к использованию высоколегированных полупроводников в качестве длинноволновых плазмонных материалов для инфракрасных приложений.Такие материалы предлагают плазменные частоты в среднем ИК-диапазоне за счет контроля концентрации легирующей примеси и, следовательно, свободных носителей. Высокие концентрации носителей, необходимые для плазмонного поведения в среднем ИК-диапазоне, могут быть достигнуты в Si посредством ионной имплантации сверху вниз или спинового легирования, или в материалах III-V во время (снизу вверх) эпитаксиального роста. И нисходящий, и восходящий подходы позволяют разрабатывать архитектуры полупроводниковых устройств с интегрированными плазмонными материалами. Первый позволяет осуществлять прямую интеграцию плазмонных систем среднего ИК-диапазона с кремниевой электроникой, в то время как последний дает возможность для послойного роста «металлических» и диэлектрических материалов и, таким образом, монолитной интеграции с активными оптоэлектронными областями среднего ИК-диапазона.Любой подход предлагает возможность для разработки нового поколения динамических плазмонных устройств. Одним из таких примеров является предлагаемый поверхностный плазмон-поляритонный диод (SPPD), оптоэлектронный переключатель, в котором распространение поверхностного плазмон-поляритона (SPP), распространяющегося на p-переходе n ++ , модулируется инжекцией заряда во время прямого смещения перехода. Смоделированные характеристики SPPD предполагают потенциальную модуляцию до 98% и скорость переключения 1 ТГц, что в сочетании с совместимостью SPPD с современными технологиями выращивания / производства полупроводников открывает путь к высокоскоростному электрическому переключению оптических сигналов с объемами субволнового режима. ,В этом проекте мы сотрудничаем с изобретателем SPPD, чтобы продемонстрировать экспериментальную реализацию высокоскоростного переключения SPP на границах раздела вырожденно легированных полупроводников.

Соответствующие публикации

«Электрическая модуляция вырожденных полупроводниковых плазмонных интерфейсов», З. Донг, Р.К. Виннакота, А.Ф. Бриггс, Л. Нордин, С. Банк, Д.А. Генов, Д. Вассерман, J. Appl. Физ., 126, 043101 (2019).

В. Стрейер, С. Лоу, Дж. Руни, Т. Якобс и Д. Вассерман, «Сильное поглощение и селективное излучение из искусственных металлов с диэлектрическими покрытиями», Opt.Экспресс, т. 21, нет. 7, стр. 9113, апрель 2013 г.

А. Розенберг, Дж. Сурья, Р. Лю, В. Стрейер, С. Лоу, Л. Сюзанн Лесли, Р. Бхаргава, Д. Вассерман, «Плоские композитные плазмонные материалы в среднем инфракрасном диапазоне с использованием полупроводников с поперечным легированием», J. Opt., 16, 094012 (2014) ..

С. Лоу, Д. К. Адамс, А. М. Тейлор и Д. Вассерман, «Дизайнерские металлы в среднем инфракрасном диапазоне», Optics Express, vol. 20, нет. 11, стр. 12155, май. 2012.

С. Лоу, Л. Ю. и Д. Вассерман, «Эпитаксиальный рост искусственных металлов для плазмоники среднего инфракрасного диапазона», J.Vac. Sci. Technol. В, об. 31, нет. 3, стр. 03C121, март 2013 г.

С. Лоу, Т. Килпатрик, Л. Ю., Т. Рибаудо, К. Робертс, В.А. Подольский, Е.А. Шанер, Д. Вассерман, «Полностью полупроводниковые плазмонные идеальные поглотители», Phys. Rev. Lett., 112, 017401 (2014).

R.K. Виннакота, Д.А. Генов, Терагерцовая оптоэлектроника с поверхностным плазмон-поляритонным диодом, Науч. 2014. Т. 4. С. 20–27.

R.K. Виннакота, Д.А. Генов, “Активный контроль волн плотности заряда на границах раздела вырожденных полупроводников”, Науки.Реп., 7, 10778 (2017).

Reststrahlen Band Optics (совместно с проф. А. Хоффманом, Нотр-Дам)

Дальний инфракрасный (дальний ИК) диапазон электромагнитного спектра можно рассматривать как заполняющий пространство от края длинноволнового инфракрасного (~ 13 мкм) до миллиметрового диапазона спектра. Длинноволновую сторону дальнего ИК-диапазона чаще всего называют диапазоном длин волн ТГц, который представляет большой интерес для широкого спектра приложений оптоэлектроники, зондирования и визуализации.Более коротковолновая сторона дальнего ИК-диапазона (~ 20-100 мкм, которую мы называем полосой Reststrahlen ), в отличие от ТГц, до сих пор не привлекала большого внимания, несмотря на то, что это диапазон длин волн, представляющий потенциальный интерес для обнаружения взрывчатых веществ, химического и биологическая спектроскопия, и приложения астрофизики. Для исследования любого диапазона длин волн требуется набор оптических инструментов, состоящий из источников, детекторов и оптических компонентов, таких как линзы, светоделители, поляризаторы и фильтры.В диапазоне длин волн ~ 20–100 мкм таких компонентов немного. В значительной степени это происходит из-за сильного поглощения фононов полупроводниковыми материалами, которые составляют основу большинства оптоэлектронных устройств, а в инфракрасном диапазоне — большинства оптических материалов. Это направление исследований моей группы сосредоточено на разработке материалов и устройств для оптики дальнего ИК-диапазона. В частности, мы заинтересованы в использовании оптических фононов для нового класса опто-фононно-электронных устройств и структур.

AlN

Соответствующих публикаций:

«Монохроматические многомодовые антенны на материалах, близких к нулю Эпсилон», Оуэн Домингес, Леланд Нордин, Джунчи Лу, Кайджун Фенг, Даниэль Вассерман и Энтони Дж. Хоффман, адвокат. Оптик Mater. 1800826 (2019).

«Фонон-поляритоника: широкие возможности для инфракрасной фотоники», Ставрула Фотинопулу, Ганга Чинна Рао Деварапу, Ганапати С. Субрамания, Санджай Кришна и Даниэль Вассерман, Nanophotonics, (2019)

«Исследование поляритонов в средней и дальней инфракрасной области», Т.Г. Фолланд, Л. Нордин, Д. Вассерман и Дж. Д. Колдуэлл, Журнал прикладной физики 125, 191102 (2019)

«Эпсилон-почти нулевые моды среднего инфракрасного диапазона в ультратонких фононных пленках», Л. Нордин, О. Домингес, С. М. Робертс, В. Стрейер, К. Фенг, З. Фанг, В. А. Подольский, А. Дж. Хоффман и Д. . Wasserman, Appl. Phys. Lett. 111, 091105 (2017).

«Создание полосы Рестстралена с гибридными плазмонно-фононными возбуждениями», W. Streyer, K. Feng, Y. Zhong, A.J. Хоффман и Д. Вассерман, MRS Communications, 2015

«Фотонные материалы, конструкции и устройства для оптики Рестстрален», К.Фэн, В. Стрейер, Ю. Чжун, А.Дж. Хоффман, Д. Вассерман, Опт. Экспресс, 23, А1418 (2015)

«Локализованные поверхностные фононно-поляритонные резонансы в полярном нитриде галлия», К. Фенг, В. Стрейер, С.М. Ислам, Дж. Верма, Д. Йена, Д. Вассерман и А.Дж. Hoffman, Appl. Phys. Lett., 107, 081108 (2015)

«Селективные поглотители и тепловые излучатели для длин волн инфракрасной области», W. Streyer, K. Feng, Y. Zhong, A.J. Hoffman, D. Wasserman, Appl. Phys. Lett., 107, 081105 (2015)

«Обзор плазмонных материалов среднего инфракрасного диапазона», Ю.Чжун, С. Деви Малагари, Т. Гамильтон и Д. Вассерман, J. Nanophoton. 9, 093791 (2015).

«Инженерное поглощение и излучение абсолютно черного тела в дальней инфракрасной области с помощью поверхностных фононных поляритонов на фосфиде галлия», W. Streyer, S. Law, A. Rosenberg, C. Roberts, V.A. Подольский, А. Hoffman, D. Wasserman, Appl. Phys. Lett., 104, 131105 (2014).

Предыдущие программы
Сверхрешеточные детекторы среднего ИК диапазона типа II (ARO MURI, с ASU, UNCC, GaTech и Texas A&M)

Сверхрешетки типа II (T2SL) претерпели значительное развитие и прогресс с момента их первоначального предполагаемого использования для обнаружения средне- и длинноволнового инфракрасного (MWIR, LWIR) излучения.Выравнивание этих гетероструктур с нарушенной запрещенной зоной типа II позволяет удерживать электроны и дырки в отдельных, но смежных слоях материала нанометровой толщины. При размещении в высокопериодической структуре, состоящей из тонких слоев чередующихся материалов, известной как сверхрешетка (SL), носители образуют мини-зоны, которые имеют более низкую эффективную запрещенную зону, чем у составляющих материалов, и подходят для приложений MWIR и LWIR. Традиционно InAs / GaSb был предпочтительной системой материалов для ИК-детекторов T2SL, но в недавних работах также исследовалось использование InAs / InAsSb.В рамках этой работы исследуются характеристики свойств переноса носителей в устройствах T2SL с помощью различных методов, но в первую очередь с применением измерений тока, индуцированного электронным пучком (EBIC). Для этих измерений EBIC, используя первичный анализ диффузии носителей с низкой инжекцией, генерируемой неупругим рассеянием электронов высоких энергий, мы разрабатываем теоретические модели для характеристики длины диффузии неосновных носителей заряда и скорости поверхностной рекомбинации в фотодетекторах вдоль направления роста.Новый EBIC-анализ фотодетектора nBn с областями InAs / InAsSb в сочетании с измерениями срока службы с помощью фотолюминесценции с временным разрешением (TRPL) формирует комплексную характеристику свойств вертикального переноса устройства, включая подвижность и коэффициент диффузии.

DZAPL2

Соответствующих публикаций:

«Модифицированный метод индуцированного электронным пучком тока для сверхрешеточных инфракрасных детекторов in (Ga) As / InAsSb», Н. Юн, К. Дж. Рейнер, Г. Арияванса, Дж. М. Дюран, Дж.E. Scheihing, J. Mabon, D. Wasserman, J. Appl. Физ., 122 , 074503 (2017).

«Определение характеристик прямого переноса неосновных носителей заряда в сверхрешеточных nBn-фотодетекторах InAs / InAsSb», Д. Цзо, Р. Лю, Д. Вассерман, Дж. Мабон, З.-Й. Он, Ю.-Х. Чжун, Э.А. Кадлец, Б.В.Ольсен, Э.А. Шанер, Прил. Phys. Lett., 106, 071107 (2015)

«Прямое наблюдение увеличения времени жизни неосновных носителей заряда в сверхрешеточных фотодиодах InAs / GaSb типа II посредством управления межфазным слоем», Д.Цзо, П. Цяо, Д. Вассерман, С.Л. Чуанг, Прил. Phys. Lett., 102, 141107 (2013)

,Публикации

— Дэн Вассерман

31. «Активное управление распространяющимися волнами на плазмонных поверхностях», Т. Рибаудо, Э.А. Шэнер, С.С. Ховард, К. Гмахл, X.J. Ван, Ф.-С. Чоа, Д. Вассерман, Proc. SPIE 7221-24, 2 (2009).

Публикации (1998-2008)

27. «Активные поверхностные плазмоны: настройка поверхностных плазмонов ведет к новым оптоэлектронным устройствам», Laser Focus World, январь 2008 г. Публикации (1998-2008)

26. «Однородные массивы квантовых точек InGaAs, изготовленные с использованием наносферной литографии», X.Цянь, Дж. Ли, Д. Вассерман, У. Д. Гудхью, Appl. Phys. Lett., 93, 231907 (2008).

25. «Настраиваемые по току решетки необыкновенного пропускания среднего инфракрасного диапазона», Е.А. Shaner, J. Cederberg, D. Wasserman, Appl. Phys. Lett., 91, 181110 (2007)

24. Легируемое перестраиваемое необыкновенное пропускание в среднем инфракрасном диапазоне от субволновых решеток », Д. Вассерман, Е.А. Шэнер, Дж. Cederberg, Appl. Phys. Lett., 90, 191102 (2007)

23. «Отрицательное преломление в полупроводниковых метаматериалах» А.Дж. Хоффман, Л. Алексеев, С.С. Ховард, К.Дж. Франц, Д. Вассерман, В.А. Подольский, Э.Е. Нариманов, Д.Л. Сивко и К. Гмахл, Nature Materials, опубликовано в Интернете 14 октября 2007 г.

22. «Узкая ширина, конфигурация с низким гребнем для мощных квантовых каскадных лазеров», А. Ляхк, П. Зори, Д. Вассерман, Г. Шу, К. Гмахл, Д. Бур Appl. Phys. Lett., 90, 141107 (2007)

21. «Свидетельство каскадного излучения в двухволновом квантовом каскадном лазере», K.J. Франц, Д. Вассерман, А.Дж. Хоффман, Д.К. Джанграу, К.-Т, Шиу, С.Р. Форрест, К. Гмахл, Appl. Phys. Lett., 90, 091104 (2007)

20. «Множественное поляризованное излучение в среднем инфракрасном диапазоне от квантовых точек InAs», Д. Вассерман, К. Гмахл, С.А. Лайон и Э.А. Шанер, Прил. Phys. Lett. Том 88, стр. 191118 (2006).

19. «Высокопроизводительные квантово-каскадные лазеры: оптимизированная конструкция с помощью волновода и теплового моделирования», С. С. Ховард, З. Дж. Лю, Д. Вассерман, А. Хоффман, Т. Ко, К. Ф. Гмахл, IEEE J. Select. Темы Квантовой электроники., 13, 1054 (2007).

18. «Непрерывные квантовые каскадные лазеры при комнатной температуре, выращенные методом MOCVD без бокового отрастания», З. Лю, Д. Вассерман, С.С. Ховард, А.Дж. Хоффман, К. Гмахл, X. Ван, Т. Танбун-Эк, Л. Ченг и Фоу-Сен Чоа, IEEE Photonics Technology Letters, т. 18, с. 1347 (2006).

17. «Аномальная спиновая поляризация двумерных дырочных систем GaAs», Р. Винклер, Э. Тутук, С.Дж. Пападакис, С. Мелинте, М. Шаеган, Д. Вассерман, С.А. Лайон, Phys. Ред. B, т.72, p.195321 (2005).

16. «Электронное антистоксово-рамановское излучение в квантово-каскадных лазерах», А.А. Гомес-Иглесиас, Д. Вассерман, К. Гмахль, А. Белянин, Д.Л. Sivco, Appl. Phys. Lett., Vol. 87, стр. 261113 (2005).

15. «Линии с половинным шагом 6 нм и образцы статической произвольной памяти 0,04 мкм2 с помощью литографии наноимпринтов», доктор медицины Остин, У. Чжан, Х. Ge. Д. Вассерман, С.А.Лайон, С.Ю. Чжоу, Нанотехнологии, Том 8, стр.1058 (2005).

14. «Рост скола выровненных квантовых точек на напряженных слоях InGaAs», Д.Вассерман, С.А. Лион, Appl. Письма физики, т. 85, с. 5352 (2004).

13. «Сканирующее отображение фотолюминесценции в ближнем поле самоорганизующихся квантовых точек (110) InAs-GaAs», М. Хаджипанайи, А.С. Масиэль, Дж. Ф. Райан, Д. Вассерман и С. А. Лайон, Appl. Phys. Lett., Vol.85, p.2535 (2004).

12. «Изготовление элементов с шириной линии 5 нм и шагом 14 нм с помощью литографии наноимпринтов», Майкл Д. Остин, Хайсюн Ге, Вэй Ву, Минтао Ли, Чжаонин Ю, Д. Вассерман, С.А. Лайон и Стивен Ю.Чжоу, Прил. Phys. Lett., Vol 84, p.5299 (2004).

11. «Формирование самоорганизующихся квантовых точек на подложках GaAs (110)», Д. Вассерман, С.А. Лайон, М. Хаджипанайи, А. Масиэль, и .Ф. Райан, Прил. Phys. Lett .. Vol. 83, с. 5050 (2003).

10. «Отрицательный дифференциальный эффект Рашбы в двумерных дырочных системах», Б. Хабиб, Э. Тутук, С. Мелинте, М. Шаеган, Д. Вассерман, С. А. Лайон и Р. Винклер, Appl. Phys. Lett., Vol. 85, стр. 3151 (2004).

9. «Исследование GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Ge (100)», А.Ван, В. Менон, С. Форрест, Д. Вассерман, С. А. Лайон, А. Кан, J. Vac. Sci. Technol. B, том 22, с.1893 (2004).

8. «Спиновое расщепление в двумерных дырках GaAs (100)», Б. Хабиб, Э. Тутук, С. Мелинте, М. Шаеган, Д. Вассерман, С. А. Лайон и Р. Винклер, Phys. Ред. B, том 69, стр.113311 (2004).

7. «Люминесценция в среднем инфракрасном диапазоне квантовых точек InAs в униполярных устройствах», Д. Вассерман и С.А. Лайон, Appl. Phys. Lett., Vol. 81, стр.2848 (2002).

6. «Легирование перестраиваемых сверхординарных оптических пропускающих решеток», Д.Вассерман, Дж. Седерберг, Э.А. Shaner, Proc. SPIE 6760, 67600A (2007).

5. «Рост MOCVD и отрастание квантовых каскадных лазеров», Ф.-С. Чоа, Л. Ченг, Х. Цзи, З. Лю, Д. Вассерман, С.С. Ховард, К.Ф. Gmachl, X. Wang, J. Fan, J. Khurgin, Proc. SPIE 6485, 64850N (2007).

4. «Электролюминесценция в среднем инфракрасном диапазоне от квантовых точек InAs», Д. Вассерман, С.А. Лайон, К. Гмахл, Дж. Седерберг и Е.А. Shaner, Proc. SPIE Vol. 6386, 63860E (2006)

3. «Электролюминесценция в среднем инфракрасном диапазоне от квантовых точек InAs в p-n-переходах и униполярных туннельных структурах» Д.Вассерман, С.А.Лайон, Physica Status Solidi B, Vol. 224, с. 585 (2001).

2. «Электролюминесценция из самоорганизующихся квантовых точек III-V», Д. Вассерман и С.А. Лион, глава книги «Справочник по электролюминесцентным материалам», под редакцией профессора Д.Р. Видж, факультет физики, Университет Курукшетра, Индия, Издательский институт физики, Бристоль, Великобритания (2004 г.).

1. «Квантовые точки 110 InAs: рост, люминесценция одиночных точек и совмещение сколотых краев», Д. Вассерман, Э.A. Shaner, S.A. Lyon, M. Hadjipanayi, A.C. Maciel, J.F. Ryan, MRS Fall 2004 Meeting Proc. «Прогресс в области сложных полупроводниковых материалов IV – Электроника и оптоэлектроника», Vol. 829, (2005).

,

определение Вассермана по медицинскому словарю

«Он все еще вытаскивает из себя стекло», — сказал Вассерман. Третий источник, знакомый с Имраном Аваном, сообщил TheDCNF, что Аван рассказал о вмешательстве в иностранное уголовное дело и что Аван сказал, что вмешался Вассерман Шульц. Вассерман подчеркивает, что будущее узкого веб-рынка — это способность быстро и гибко вносить изменения, в этой области Cyngient превосходит остальных. До того, как присоединиться к Скриппсу, Вассерман 33 года проработал в Post-Newsweek Stations (теперь Graham Media Group) на различных руководящих должностях.Вассерман сказал, что округ может возбудить судебный иск, если компания не соблюдает разрешение. Рожденный и выросший в Нью-Йорке и Нью-Джерси, Вассерман окончил колледж Рутгерса и начал работать в Prager & Fenton — «прекрасном месте, чтобы узнать веревок, и я до сих пор поддерживаю с ними отношения », — а затем перешел в RZO Management. Стэм будет работать вместе с Вассерманом над выявлением инвестиционных возможностей, надзором за управлением недвижимостью для существующего портфеля компании, работой с кредиторами для финансирования новых приобретений и руководителем инициативы по расширению присутствия компании в Бруклине и во всем регионе Нью-Йорка.Тем утром Вассерман Шульц и горстка его единомышленников провели пресс-конференцию во дворе здания Федерального суда в центре Форт-Лодердейла. Наши методы устойчивого развития являются естественным продолжением этой мантры », — сказал Майк Вассерман. «После завершения большой фотосессии с едой мы упаковываем остатки и доставляем их в The Greater Cleveland Food Bank или аналогичным организациям, которые стремятся бороться с проблемами голода в нашем сообществе. Воронам удавалось выбрать правильную карту примерно в трех четвертях времени, Вассерман и его коллеги сообщают 18 декабря в Current Biology.Wisconsin’s Own: Twenty Remarkable Houses представляет собой полноцветные цветные фотографии Зейна Уильямса, иллюстрации авторов Коннолли и Вассермана и представляет собой сотрудничество между всеми участниками и Историческим обществом Висконсина в исследовании около 1500 потенциальных домов, прежде чем будут представлены всего двадцать из самых известных домов штата. Сильвер приняла участие в интервью, которое провел политический аналитик Кука Дэвид Вассерман, освещающий гонки в Палате представителей.
,

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.